显微镜下的苹果A14：台积电5nm果然有“水分”

(快科技)苹果A系列处理器这些年一直处于独步江湖的高度，无论设计还是性能都是绝对的佼佼者，最新的A14当然也不例外。

半导体逆向工程与IP服务机构ICmasters近日将一颗苹果A14放在了显微镜下，仔细观察了一番这个怪物。

苹果A14采用台积电5nm工艺制造，集成多达118亿个晶体管，内核面积仅为88平方毫米，密度为1.34亿个晶体管/平方毫米。

作为对比，上代A13使用的是台积电7nm工艺，集成85亿个晶体管，内核面积94.48平方毫米，密度为8997万个晶体管/平方毫米。

更早的A12也是台积电7nm工艺，集成69亿个晶体管，内核面积83.27平方毫米，密度为8286万个晶体管/平方毫米。

根据台积电的宣传，5nm工艺可以做到1.713亿个晶体管/平方毫米的密度，苹果A14距离理论值差了不少，只发挥出来不到80％。

当然，这并不是说台积电5nm工艺不行，而是不同芯片有着不同的逻辑电路、缓存布局和设计，但是就实际值与理论值的对比看，这次确实低了很多，前几代可是全部超过90％，A13甚至达到了惊人的98.65％。

另外，显微观察可以清楚地看到A14里的六个CPU核心，包括两个大核心FireStorm、三个小核心IceStorm，以及四个GPU核心、16个神经引擎核心。

拆分来看，GPU核心占据11.65平方毫米，两个大核心的二级缓存用掉了9.1平方毫米的面积，四个小核心的二级缓存则只占6.44平方毫米。

另外还有一个统一系统缓存，但暂时找不到在哪里。

ASML中国展示DUV光刻机 可生产7nm及以上制程芯片

正在进行的第三届进博会上，光刻机巨头ASML也参展了，并且还在自己的展台上晒出展示了DUV光刻机。据悉，ASML之所以没有展示新的EUV光刻机，主要是因为他们目前仍不能向中国出口EUV光刻机，而此次展示的DUV光刻机可生产7nm及以上制程芯片。

ASML此次也带来了其整体光刻解决方案，包括先进控制能力的光刻机台计算光刻和测量通过建模、仿真、分析等技术，让边缘定位精度不断提高。

在这之前，ASML CFO Roger Dassen在财报会议的视频采访中谈到了与中芯国际等中国客户的业务情况，其表示一些情况下，出口光刻机是不需要许可证的。

Roger Dassen指出，ASML了解美国当局目前的规章制度及其解释，当然也知道这些与特定的中国客户密切相关，但如果广泛的来理解其规章制度对ASML的总体含义(对于特定的中国客户)，则意味着ASML将能够从荷兰向这些中国客户提供DUV光刻系统，且无需出口许可证。

美国仅仅是限制了美国不能给中国出口芯片、光刻机等，但并没有限制其他国家对中国进口，荷兰并不在美国的禁令范围内。

目前的光刻机主要分为EUV光刻机和DUV光刻机。DUV光刻机，分为干分式与液浸式两种。其中，液浸式于ASML手中诞生，其波长虽然有193nm，但等效为134nm，经过多重曝光后，液浸式光刻机也能够达到7nm工艺。但是，每多一次曝光都会使得制造成本大大提升，而且良品率也难以控制。

EUV光刻机采用13.5nm波长的光源，是突破10nm芯片制程节点必不可少的工具。也就是说，就算DUV（深紫外线）光刻机能从尼康、佳能那里找到替代，但如果没有ASML的EUV光刻机，芯片巨头台积电、三星、Intel的5nm产线就无法投产。