5G时代,我们需要什么样的晶圆?--全球CEO峰会精彩看点

2020-11-06 10:20:22 3
随着5G的快速发展, RF半导体设计者都在挖空心思为5G系统寻找新材料和新设计/架构。


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图1:5G系统需要新的半导体材料。


由于5G使用不同的高频频段来实现高速数据传输,因此5G RF前端模块所需要的功率放大器、滤波器、开关、LNA和天线调谐器的需求量倍增,速度之快令人措手不及。对于智能手机设计者来说,庞大的零部件数量(其中许多仍是独立部件)很让人头疼,他们必须将所有这些RF模块全部塞到一部5G手机里。

5G智能手机开发商也担心RF器件的质量、散热和能效问题,因为这些都可能降低RF前端模块的性能。

“因此,越来越多的RF芯片设计公司都在寻找新的材料和衬底,以满足5G RF的严格要求。”Soitec公司CEO Paul Boudre先生表示,利用SOI技术,可为这些新兴领域提供价格低、性能好、可靠性高的方案。


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Soitec已经在SOI晶圆方面取得了巨大成功,准备进军化合物材料的新世界来扩展其业务。Boudre提到,Soitec计划为芯片厂商“开发、制造和提供基于Soitec工程衬底的新材料”。Soitec研发的新材料包括:

压电绝缘体(POI)工程衬底——用于生产高性能表面声波(SAW)滤波器组件,主要针对4G和5G新无线电(NR)波段。


硅基氮化镓(GaN-on-Si)和碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延片。Soitec去年收购了位于比利时的Imect子公司EpiGaN,获得了外延片开发和制造技术。通过将EpiGaN融入到公司中,同时购买必要的工具,Soitec计划进入需求庞大的5G GaN功率放大器市场。


Soitec将于今年开始交付碳化硅(SiC)晶圆样品,这是基于其Smart Cut专有技术而开发的。


Soitec的Smart Cut工艺可让Soitec工程师指定材料,并从这些材料上生长单晶层,然后将这些生长层从一个衬底转移到另一个衬底。这样就有可能形成晶圆片的活性层,独立于支撑机械基底进行控制管理。

Soitec公司CEO Paul Boudre先生已确认参加2020年11月5日在深圳举办的ASPENCORE第三届“全球CEO峰会”(点击查看峰会介绍与报名),届时将发表主题为《优化衬底赋能边缘计算》的精彩演讲。

ASPENCORE 第三届全球双峰会依然选择在全球包容性最强的深圳举办,邀请全球电子行业话语性最强的领袖人物聚集一堂,与全行业与会嘉宾和观众分享碰撞最热门的技术话题,助力电子行业从业者把握市场未来。

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张国斌,电子创新网创始人兼CEO ,西安电子科技大学信号与信息处理工学硕士,有多年专业媒体从业经验,专注报道FPGA,MCU、人工智能、智能驾驶领域的创新和技术。

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