碳化硅(SiC)器件的生产工艺和技术日趋成熟，目前市场推广的最大障碍是成本。包括研发和生产成本，以及应用中碳化硅器件替代IGBT后，整个电路中驱动电容电阻的成本。除非厂家推，而且真的可以降低成本，提高性能。毕竟，采用新事物会花费很多。由于制造成本和产品良率的影响，目前阻碍SiC产品大规模进入市场的主要原因是价格偏高，一般是同类Si产品的10倍左右。虽然未来碳化硅(SiC)器件以技术进步和成本降低取代IGBT是必然的，性能可能很强，但真正能成为大势所趋的不仅仅是性能，还有成本和可靠性。

由于电力电子器件具有on、on、关断和off四种工作状态，因此off和on状态分别承受高电压和大电流，而在on和关断，过程中，开关器件可能同时承受过压和过流、过大的di/dt、du/dt和过大的瞬时功率。

可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都有三个电极。单向可控硅整流器具有阴极(K)、阳极(A)、控制极(G)。双向可控硅相当于两个单可控硅反向并联。即一个单向硅阳极与另一个阴极并排连接，其引出端称为T2极，一个单向硅阴极与另一个阳极连接，其引出端称为T2极，其余为控制电极(G)。

如果共发射极电流放大系数β=IC/IB =100，集电极电流IC=β*IB=10mA。集电极负载电阻为500Ω时，电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的电压降VCE=5V。如果在基极偏置电路中叠加一个交流小电流ib，集电极电路中就会出现相应的的交变电流ic，有c/ib=β，从而实现双极晶体管的电流放大。

模块在较小导通角时(即模块高输入电压、低输出电压)输出较大电流，这样会使模块严重发热甚至烧毁。这是因为在非正弦波状态下用普通仪表测出的电流值，不是有效值，所以，尽管仪表显示的电流值并未超过模块的标称值，但有效值会超过模块标称值的几倍。因此，要求模块应在较大导通角下(100度以上)工作。

散热状况是影响模块能否安全工作的重要因素。良好的散热条件不仅可以保证模块的可靠运行，防止模块过热烧毁，还可以提高模块的电流输出能力。

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晶闸管的过电压能力极差。当元件的反向电压超过其反向击穿电压时，即使时间很短，元件也会被反向击穿损坏。如果直流电压超过晶闸管的正向导通电压，会导致晶闸管硬导通，不仅会使电路工作异常，而且在几次硬导通后还会降低元件的正向导通电压，甚至失去正向阻断能力而损坏。因此，必须采取过电压保护措施来抑制晶闸管上可能出现的过电压。模块的过电压保护建议采用阻容吸收和压敏电阻的保护措施。

如果想获得更安全的过流保护，建议用户优先选择内置过流保护功能的模块。此外，还可以使用外部快速保险丝、快速过流继电器和传感器。快速熔断是最简单也是最常用的方法，介绍如下

在使用该模块之前，可以进行简单的功能测试，可以测试恒流功能或恒压功能，但选择恒压功能测试更方便。以下是关于首次使用的常见问题，可能对你有启发。