碳化硅(SiC)器件的生产工艺和技术日趋成熟，目前市场推广的最大障碍是成本。包括研发和生产成本，以及应用中碳化硅器件替代IGBT后，整个电路中驱动电容电阻的成本。除非厂家推，而且真的可以降低成本，提高性能。毕竟，采用新事物会花费很多。由于制造成本和产品良率的影响，目前阻碍SiC产品大规模进入市场的主要原因是价格偏高，一般是同类Si产品的10倍左右。虽然未来碳化硅(SiC)器件以技术进步和成本降低取代IGBT是必然的，性能可能很强，但真正能成为大势所趋的不仅仅是性能，还有成本和可靠性。

由于电力电子器件具有on、on、关断和off四种工作状态，因此off和on状态分别承受高电压和大电流，而在on和关断，过程中，开关器件可能同时承受过压和过流、过大的di/dt、du/dt和过大的瞬时功率。

1月16日消息，世界移动通信系统协会（GSMA）推动了一项全球加速计划，以加速5G毫米波技术的发展。 全球运营商、芯片和设备厂商也积极跟进，都是新人。 5G增长的驱动力。

2020年底以来，“芯荒”问题成为全球热门话题，不少芯片厂商都在积极增加产能供应，但不少芯片依然供不应求，芯片价格不断上涨。

可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都有三个电极。单向可控硅整流器具有阴极(K)、阳极(A)、控制极(G)。双向可控硅相当于两个单可控硅反向并联。即一个单向硅阳极与另一个阴极并排连接，其引出端称为T2极，一个单向硅阴极与另一个阳极连接，其引出端称为T2极，其余为控制电极(G)。

如果共发射极电流放大系数β=IC/IB =100，集电极电流IC=β*IB=10mA。集电极负载电阻为500Ω时，电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的电压降VCE=5V。如果在基极偏置电路中叠加一个交流小电流ib，集电极电路中就会出现相应的的交变电流ic，有c/ib=β，从而实现双极晶体管的电流放大。

模块在较小导通角时(即模块高输入电压、低输出电压)输出较大电流，这样会使模块严重发热甚至烧毁。这是因为在非正弦波状态下用普通仪表测出的电流值，不是有效值，所以，尽管仪表显示的电流值并未超过模块的标称值，但有效值会超过模块标称值的几倍。因此，要求模块应在较大导通角下(100度以上)工作。

散热状况是影响模块能否安全工作的重要因素。良好的散热条件不仅可以保证模块的可靠运行，防止模块过热烧毁，还可以提高模块的电流输出能力。

2022年1月7日，2021立创供应商大会在珠海御温泉度假村举办，深圳市萨科微半导体有限公司（www.slkormicro.com）宋仕强先生受邀参加此次大会。此次大会设有参观立创珠海仓及PCB、SMT、3D打印工厂，主题演讲，颁奖晚宴，度假村自由观光等丰富多彩的项目环节。萨科微半导体凭借近两年的出色表现，获得立创商城“成长之星”大奖，立创商城总经理杨林杰亲自为萨科微颁发了奖杯。

1月13日消息，国际半导体产业协会（SEMI ）公布了最新的全球晶圆厂设备支出预测报告（World Fab Forecast），指出2022 年全球前端晶圆厂设备支出总额将较2021年成长10%，突破980亿美元历史新高，再次出现连续三年大涨荣景。