资讯中心

资讯中心

深圳市萨科微SLKOR(http://www.slkormicro.com)科技有限公司研发始于2005年,总部位于韩国釜山专业从事功率元器件的设计、生产和销售。产品包括MOS场效应管、COOLMOS、电源管理IC、FRD、霍尔hall元件、IGBT单管模块、SiC碳化硅等器件。 今年疫情期间国内外各大原厂均经历暂时停工停产,交期变长,萨科微slkor科技早已复工,为广大
  • 为什么SiC器件不能取代IGBT?

    碳化硅(SiC)器件的生产工艺和技术日趋成熟,目前市场推广的最大障碍是成本。包括研发和生产成本,以及应用中碳化硅器件替代IGBT后,整个电路中驱动电容电阻的成本。除非厂家推,而且真的可以降低成本,提高性能。毕竟,采用新事物会花费很多。由于制造成本和产品良率的影响,目前阻碍SiC产品大规模进入市场的主要原因是价格偏高,一般是同类Si产品的10倍左右。虽然未来碳化硅(SiC)器件以技术进步和成本降低取代IGBT是必然的,性能可能很强,但真正能成为大势所趋的不仅仅是性能,还有成本和可靠性。

  • 常用的IGBT缓冲电路有哪些?

    由于电力电子器件具有on、on、关断和off四种工作状态,因此off和on状态分别承受高电压和大电流,而在on和关断,过程中,开关器件可能同时承受过压和过流、过大的di/dt、du/dt和过大的瞬时功率。

  • 5G毫米波商用加速,支持设备超140多款

    1月16日消息,世界移动通信系统协会(GSMA)推动了一项全球加速计划,以加速5G毫米波技术的发展。 全球运营商、芯片和设备厂商也积极跟进,都是新人。 5G增长的驱动力。

  • 缺芯问题是否得到缓解? 19家公司宣布2022年一季度涨价

    2020年底以来,“芯荒”问题成为全球热门话题,不少芯片厂商都在积极增加产能供应,但不少芯片依然供不应求,芯片价格不断上涨。

  • 如何用万用表检测可控硅

    可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种,都有三个电极。单向可控硅整流器具有阴极(K)、阳极(A)、控制极(G)。双向可控硅相当于两个单可控硅反向并联。即一个单向硅阳极与另一个阴极并排连接,其引出端称为T2极,一个单向硅阴极与另一个阳极连接,其引出端称为T2极,其余为控制电极(G)。

  • 半导体三极管参数符号及其意义

    如果共发射极电流放大系数β=IC/IB =100,集电极电流IC=β*IB=10mA。集电极负载电阻为500Ω时,电压降VRC=10mA*500Ω=5V,而晶体管集电极和发射极之间的电压降VCE=5V。如果在基极偏置电路中叠加一个交流小电流ib,集电极电路中就会出现相应的的交变电流ic,有c/ib=β,从而实现双极晶体管的电流放大。

  • 模块选型注意事项-导通角要求

    模块在较小导通角时(即模块高输入电压、低输出电压)输出较大电流,这样会使模块严重发热甚至烧毁。这是因为在非正弦波状态下用普通仪表测出的电流值,不是有效值,所以,尽管仪表显示的电流值并未超过模块的标称值,但有效值会超过模块标称值的几倍。因此,要求模块应在较大导通角下(100度以上)工作。

  • 模块保护-过热保护

    散热状况是影响模块能否安全工作的重要因素。良好的散热条件不仅可以保证模块的可靠运行,防止模块过热烧毁,还可以提高模块的电流输出能力。

  • 喜讯!!!萨科微slkor半导体获得立创商城“成长之星”大奖

    2022年1月7日,2021立创供应商大会在珠海御温泉度假村举办,深圳市萨科微半导体有限公司(www.slkormicro.com)宋仕强先生受邀参加此次大会。此次大会设有参观立创珠海仓及PCB、SMT、3D打印工厂,主题演讲,颁奖晚宴,度假村自由观光等丰富多彩的项目环节。萨科微半导体凭借近两年的出色表现,获得立创商城“成长之星”大奖,立创商城总经理杨林杰亲自为萨科微颁发了奖杯。

  • 2022年全球制造设备支出达到创纪录的980亿美元,同比增长10%

    1月13日消息,国际半导体产业协会(SEMI )公布了最新的全球晶圆厂设备支出预测报告(World Fab Forecast),指出2022 年全球前端晶圆厂设备支出总额将较2021年成长10%,突破980亿美元历史新高,再次出现连续三年大涨荣景。